体验两款NVMe新形态固态硬盘
企业级高速稳定：英特尔DC P3700 400GB U.2
面向企业用户，英特尔推出了体形小巧、支持热插拔的U.2板型DC P3700 2.5英寸SSD。其所用主控、闪存芯片与PCI-E板卡式产品相同，接口传输带宽也达到了PCI-E 3.0 x4即32Gb/s。唯一区别就是接口转换为U.2，PCB更小，只需一个2.5英寸的盒子即可容纳整块SSD。
采用型号为CH29AE41AB0的18通道NVMe主控芯片，其工作频率为400MHz，具体细节英特尔尚未公开；闪存颗粒为HET e-MLC，可承受写入量达到惊人的12119TB！要知道采用常规MLC闪存颗粒的普通固态硬盘可写入量一般仅在200TB以内。
在性能上，DC P3700 400GB U.2可谓生猛，其在基准软件测试中的连续读取速度突破2200MB/s(普通PCI-E SSD的速度也不过1000MB/s左右)。同时在随机4KB QD64高队列深写入测试中，DC P3700 400GB U.2的IOPS突破23万IOPS（常见的PCI-E SSD仅刚刚达到10万级）。老玩家不难发现，这款容量仅400GB的DC P3700性能已经达到了英特尔750 1.2TB固态硬盘的水准，它是怎么做到的？
首先，DC P3700 400GB U.2对NVMe提供了完美的支持。在往期的测试中我们也已讲到，NVMe技术标准大幅提升了存储系统一次多可执行命令的数量，达到大64K，而对比PCI-E固态盘采用的是常规的AHCI技术标准，一次大只能执行32条命令。因此这大幅提升了固态盘在高队列深度下的随机读写性能。其随机4KB高队列深度IOPS性能达到普通PCI-E固态盘的1.12～2.5倍。此外，18通道主控设计的写入性能非常恐怖，其在所有写入性能测试中的速度都远超普通PCI-E固态硬盘，在低队列深度下，DC P3700 400GB固态盘的随机4KB写入性能较对比普通PCI-E固态硬盘的领先幅度依然达到2.22倍之多，这意味着DC P3700固态盘显然非常适合进行写入密集型应用。同时NVMe产品的延迟的确得到了明显的降低，在AS SSD测试中，DC P3700 400GB固态盘的读写存取延迟只有普通PCI-E固态硬盘的40%左右，这也进一步提升了其随机写入性能。
脏盘状态下Anvil's Storage Utilities测试成绩几乎与初始成绩差别不大，正符合其企业级产品定位。
总体来看，DC P3700 400GB固态盘在基准测试中的表现非常抢眼，在PCMark8应用中它也表现出了强劲的性能，总评成绩5081。利用Iometer软件，我们模拟出了用户长期使用后的脏盘状态，欣喜地发现它在脏盘状态下Anvil's Storage Utilities测试成绩与初始成绩仅有6%的差别。在寿命方面，HET e-MLC带来12119TB可承受写入量，MTBF达到200万小时（承受每日17次全盘覆写、而且可以保证在这种工作强度下，正常工作5年）！至于LDPC纠错技术、掉电保护技术更是标配。对于这款尚未公布国内价格的企业级产品，普通用户唯一要考虑的或许是它目前868美元的参考售价。
结语
NVMe（Non-Volatile Memory Express，非易失性存储器标准）的好处是有目共睹的，该技术使得硬盘可经PCI-E总线与CPU直接进行数据交换，而不是传统的通过南桥控制器中转再连接CPU。在降低延迟的同时，磁盘性能获得了大幅度提升。相比面世多年的AHCI标准，NVMe标准可以带来多方面的性能提升，由此如上两种新形态固态硬盘
虽然在近期，NVMe还不至于“遍地开花”。但是在SATA 6Gbps和AHCI已经逐渐成为存储设备发展瓶颈的今天，相信更多采用PCI-E通道、NVMe标准的固态硬盘将会很快出现在我们眼前，助力消费级、企业级应用存储性能腾飞。
