工艺架构双双逆袭 AMD下代显卡抢先看！

14nm FinFET优势何在？

其实在代工的选择上，AMD一直是很谨慎的，TSMC合作了多年，逼不得已AMD并不想换代工厂。但很显然，在经历了28nm的各种坑之后，TSMC向16nm过渡的情况也并不好，量产时间的推迟让TSMC先后丢掉了高通、博通等大单。虽说TSMC后续补救还算及时，在16nm FinFET(FF)之后，迅速推出了加强版的16nm FFP和针对低功耗的FFC工艺。但争分夺秒的竞争需要的就是时间上抢先，三星14nm工艺先于TSMC的16nm工艺量产，能为AMD争取到更早的流片和试产时间，可能是AMD放弃TSMC的一个重要原因。再加上在20nm时代，TSMC优先苹果订单，让AMD和NVIDIA不得不憋屈地使用28nm至今，也确实让AMD感到了威胁。所以将生产转回自家的GF可谓水到渠成。至于为何要同时交予三星，很可能是因为GF虽得到技术授权，但是产能估计难以满足AMD需求，需要借助三星保证芯片数量和质量吧。

Polaris核心的新工艺相比之前的平面工艺，具有显著的晶体管密度优势。

除了密度，FinFET相比传统工艺大优势在于提高了漏电控制，有利于提高芯片性能功耗比。

FinFET，相信大家不再陌生了，其全称是Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管。这个名词的首次出现还是在英特尔强推22nm工艺的时代，FinFET实际上就是当时英特尔大力宣传的“3D晶体管”。FinFET的目的是为了对抗越来越薄、越来越小的晶体管所拥有的不良物理特性（重要的就是漏电），并用于根本性改善20nm甚至更高级别制程下晶体管的性能。举例来说，在FinFET出现之前，AMD曾采用过多重电压岛、后偏置、高级时钟门控电路等多重技术，但都没有很好地解决漏电问题，导致芯片能耗比不佳，始终在竞争中受制于对手。从技术角度来看，FinFET将原本扁平、薄而不可靠的漏极和源极之间的连接“竖立”起来，在另一个维度上变相增加了厚度（或者面积），使得晶体管在继续缩小后还能够有比较好的性能表现。在使用了FinFET后，原本比较令人烦恼的漏电电流得到了有效控制，同时还带来了很多优秀特性，比如使用更低电压即可驱动、晶体管可承受电流上限也更高等。

AMD公布的对比图，显示在提供基本相同的图形性能出下，AMD新核心显卡(中)比NVIDIA当前的Maxwell架构显卡(下)功耗低得多。

而三星授权给GF用于制造Polaris核心的工艺，是继初代14nm Low Power Early(LPE)之后的改进版14nm Low Power Plus(LPP)工艺。LPE已经为我们带来过Exynos 7420等名满天下的产品，而LPP还将在LPE基础上进一步提升能耗比，减少15%以上漏电率，更利于制造高性能大体积芯片。

AMD在全新的Polaris核心上采用FinFET，有助于降低芯片发热、提高工作频率、降低驱动电流，终实现提高性能功耗比的目的。根据AMD的介绍，14nm FinFET相比28nm平面工艺，能在晶体管数量翻倍的情况下，还进一步缩小芯片面积。借此获得优秀得多的能耗表现和翻倍的性能。通过测试当前已经用14nm工艺流片成功的Polaris GPU，AMD宣称Polaris架构相比之前的Fiji等核心在能耗比上提升了2倍，也远远超过了当前NVIDIA的Maxwell架构。为此，AMD还特地公布了一段演示视频，视频中AMD使用了相同的软硬件平台，在相同设置下对比了某款Polaris架构GPU和GTX 950的功耗表现。在游戏画面都一样流畅的前提下，其中GTX 950的平台功耗为150W，而Polaris GPU的平台功耗仅为85W，只有前者的56%，整体表现相当令人满意。