021-63410999(技嘉科技股份有限公司)1488元
本次微型计算机评测室测试的这款技嘉EP45-UD3R主板采用Intel P45+ICH10R的芯片组搭配方式,该主板的大特点在于采用了技嘉新的第三代超耐久技术。该技术在主板印刷电路板内的电源层与接地层采用了更重、更厚的2盎司铜膜,而普通主板只采用了1盎司的铜膜(1盎司=31.1035克)。采用2盎司铜膜主要有以下好处:一、主板工作温度低,由于主板上的各种零配件如MOSFET、电感、芯片组等都会发热,其产生的热量将会传导至PCB铜膜上,而2盎司的铜膜拥有不错的导热性,因此能迅速把热量分散于主板PCB上,让热量更快速地传导至空气中。二、2盎司的铜膜由于更厚,因此带宽更大,可以允许更多的电子通过,所以阻抗更小,不仅可减少热量产生,同时也降低超频时因电压提升超过铜膜负荷而令主板线路损坏的可能性,并降低金属疲劳,让主板更稳定、更耐超。
技嘉EP45-UD3R主板产品资料 | |
芯片组 |
INTEL P45+ICH10R |
内存插槽 |
DDR2 800×4(高支持16GB容量, DDR2 1366的频率) |
展槽 |
PCI-E x16×1 |
PCI-E x1×3 | |
PCI×3 | |
音频芯片 |
Realtek ALC889A(支持7.1声道,HD AUDIO标准) |
网络芯片 |
Realtek 8111C千兆网络芯片 |
IEEE 1394芯片 |
德州仪器TSB43AB23 |
同时,该主板全部采用寿命较长的日系固态电容,其中主要使用了电气性能极佳的三洋SEPC固态电容,并辅以少量日本化工PSC固态电容。而在处理器供电部分,主板采用6相供电设计,每相搭配二颗采用SO-8 FL封装的NTMFS4835N MOSFET与一颗NTMFS4744N MOSFET,这两种MOSFET的大特点是导通电阻小、承载电流大。其中S4835N在10V下的大电阻仅为3.5毫欧,高可承受电流达104A,而S4744N在10V下的大电阻仅为10毫欧,高可承受电流达53A,也就是说这款采用6相供电设计的主板,高可承载53×6=318A的大电流,因此在该主板上可放心使用大功率四核处理器,并对其进行超频。主板还在内存与北桥部分采用两相供电设计,进一步加强主板工作的稳定性。后该主板使用了铁氧体电感,与普通铁芯电感相比,其磁导率更好,因此,使用铁氧体电感可以在电感不降低的情况下,减少线圈匝数,从而有效降低电感器的等效电阻,降低发热并节约能源。
|
技嘉EP45-UD3R@E5200 2.5GHz |
提升幅度 | |
PCMark Vantage系统性能测试 |
3903 |
5212 |
+33.5% |
PCMark Vantage CPU图像处理 |
2.876MB/s |
4.318MB/s |
+50.1% |
PCMark Vantage VC-1转WMV9 |
2.077MB/s |
3.243MB/s |
+56.1% |
PCMark Vantage WAV转WMA |
6.882MB/s |
11.872MB/s |
+72.5% |
PCMark Vantage 文本编辑 |
571.947KB/s |
989.581KB/s |
+73% |
CINEBENCH R10处理器多核渲染效能 |
5070 |
7953 |
+56.8% |
3DMark Vantage CPU游戏性能 |
4751 |
7146 |
+50.4% |
3DMark Vantage,1680×1050,High |
H4264 |
H4537 |
+6.4% |
Quake4,1920×1200,Ultra Quality |
106.5 |
141 |
+32.3% |
孤岛危机:弹头,1680×1050,主流 |
40.7 |
47.6 |
+16.9% |
潜行者:晴空,1680×1050,DX10阴影+默认 |
25 |
26 |
+4% |
此外,技嘉EP45-UD3R主板在南、北桥芯片及所有MOSFET上均搭载了漂亮、厚实的蓝色散热片,散热片采用了防氧化镀镍处理,在发热量较大的北桥与靠近背板接口的MOSFET部分,主板还采用热管将其散热片连接,进一步加强散热效能。其他方面,该主板同样具备技嘉的特色技术DES Advanced动态节能技术加强版,并为用户提供EasyTune超频软件。接下来我们对技嘉EP45-UD3R进行了实际性能测试,我们发现该主板不仅可正常发挥处理器的默认性能,它对处理器也有很强的超频能力。在前端总线电压、北桥电压均保持默认的情况下,我们仅将处理器电压提升到1.424V,它就将轻松Intel奔腾双核E5200处理器提升到了4GHz。从测试结果可以看到,在该频率下,系统性能较默认状态下有了很大提升,尤其是在那些侧重CPU的音频、视频转码工作上,性能提升幅度达56%~72%。不过在一些对显卡GPU十分依赖的游戏如《潜行者:晴空》,可以看到,即使在4GHz下,其性能提升也十分有限。在处理器工作到4GHz的同时,我们还运行了15分钟ORTHOS双核烤机软件对主板工作温度进行了考察,在室温近20℃的裸机状态下,其南北桥散热片温度分别只有24℃与38℃,MOSFET散热片温度为32.5℃,显然超耐久3代技术与优秀的散热系统发挥了重要作用。
MC指数 | 8.8/10 |
做工 | 9 |
超频性能 | 9 |
散热性能 | 9 |
技术规格 | 8 |
后,我们还测试了该主板的动态节能技术,开启该技术后,E5200处理器不论在待机还是满载状态下,主板仅开启两相供电电路,处理器电压同时由原来的1.056V降低到0.976V(开启第3级电压),系统待机功耗由116W降低到110W,系统满载功耗由136W降低到120W,具备一定的节能效果。
与那些追求供电相数的主板不同,这款主板 通过加强PCB品质、供电电路用料、散热器性能来提升主板水准,而从实际测试来看, 该主板在超频性能、工作温度上的确有不错 的表现,再加上其独有的特色技术,因此我们认为它适合追求品质的高端玩家选用。
用料、超频性能优秀,工作温度低,具备自 己的特色技术
虽然采用了P45芯片组,但未提供组建 CrossFireX交叉火力的功能