速度与激情的碰撞 内存超频实战
我们曾在《微型计算机》2013年12月上期的《别让涨价降低品质，高性价比高频内存选购指南》一文中，已经告诉过大家如何通过内存颗粒来挑选超频体质较好的内存。那么在这一期的文章中我们将和大家一起来研究一下如何通过调整内存时序参数的设置来大程度地发挥内存的超频潜力。
根据CPU选内存
从Nehalem架构开始，Intel就引入了全新的直联架构：处理器直联以及内存直联。内存直联是通过在处理器中内置了内存控制器（IMC，Integrated Memory Controller）来实现的。IMC能够显著地降低内存延迟，同时也直接决定了处理器所能够支持的内存频率高低。因此，我们首先应该根据CPU的IMC特点来选择配套的内存。Sandy Bridge处理器的IMC高只能支持2133MHz的内存，随着IMC的改进Ivy Bridge处理器已经能够支持2133MHz到2800 MHz的内存，而新的Haswell处理器更是能够支持2400MHz到2933MHz以上的内存等效频率。因此在Sandy Bridge平台的内存选购上要注意频率不用过高，尽量选择能够以低时序运行在2133MHz下的内存条，以大程度提高性能。Ivy Bridge的IMC与CPU体质有很大关系，一般都能够达到2400MHz～2666MHz，而Haswell处理器的内存起点就应该是2400MHz以上，甚至可以达到3000MHz。
频率、时序、性能与电压的关系
目前大多数厂家建议的内存安全电压是不超过1.65V，在超频情况下加压到1.75V也是相对安全的。而我们所要注意的就是频率、时序、性能与电压的关系。在一些内存上有时候增加了电压虽然能够上较高的频率，但是可能会牺牲部分时序参数而影响到性能，那么这种情况下就建议不要无谓地加压。除了内存电压之外，内存控制器的工作电压也会在一定程度上影响内存的超频幅度。在Ivy Bridge、Haswell平台上内存控制器的电压选项在BIOS中一般为“CPU System Agent Voltage”。另外还有两个电压设置选项与内存控制器有关，分别是“CPU Aanlog I/O Voltage”与“CPU Digital I/O Voltage”。这三个电压值一般都不要超过1.2V（如图1），加压时先提升“CPU System Agent Voltage”的电压值，不稳定的话再考虑增加“CPU Aanlog I/O Voltage”与“CPU Digital I/O Voltage”的电压值。
在内存频率、时序对性能的影响方面，相同的时序参数下，频率自然是越高越好，但是当频率超过2400MHz以后，往往需要放宽部分的时序参数来换取高频下的稳定性。因此不要盲目地追求高频，在实际操作中我们需要寻找一个为合理的平衡点。针对目前大部分超频内存而言，2400MHz～2666MHz是一个较为理想的平衡点，在这个区间内往往可以获得频率、时序、电压与性能都比较均衡的合理超频方案。在这个范围以外的情况下，2400MHz以内频率优先，2666MHz以上时序优先。
内存时序参数对性能的影响
根据在主板BIOS中内存时序参数设置菜单的不同，目前大多数超频玩家习惯把内存时序分为三部分。其中内存的第一时序从SDRS DRAM内存时代就已经被大家所熟知；第二时序则是在AMD的Athlon 64处理器崛起时被广大玩家所关注；第三部分的时序直到Ivy Bridge平台普及才被重视。
第一时序
内存的第一时序（图2）序包括：CL、tRCD、tRP、tRAS等四个参数，其具体含义分别为：
①CL：CAS Latency，内存CAS延迟时间，表示从内存收到CPU的读取/写入指令到读取/写入数据结束的响应时间。
②tRCD：RAS－to－CAS Delay，内存行地址传输到列地址的延迟时间。内存中的数据就好比存放在一个有行有列的表格里面，当内存要读写某个地址的数据时，就需要确定它在第几行第几列，而内存会首先发送一个行地址信号（RAS），再发送一个列地址信号（CAS），这两个信号发送的时间间隔就是tRCD。
③tRP：RAS Precharge Delay，内存行地址选通脉冲预充电时间，也就是内存从完成一个指令处理到下一个指令处理开始前的短时间周期。
④tRAS：Row Active Delay，内存行地址选通延迟，指的是从内存接到一个新指令到激活内存地址的间隔时间。
其中CL、tRCD对内存性能的影响很大，而tRP、tRAS对性能的影响较小。尔必达（ELPIDA）颗粒、美光颗粒的特点都是CL、tRCD、tRP三个参数能够保持在一致的较低时序下，例如一些体质好的内存在超过2133MH z的频率之后依然能够保持8-8-8-24@1.65V的时序。力晶颗粒的特点是CL、tRP可以降至很低，但tRCD则要明显高于CL、tRP很多，例如体质好的可以运行在2133MHz（7-10-7-27@1.65V）。三星与海力士（SKhynix）颗粒的特点是高频下tRCD、tRP略高于CL，例如超频2400M Hz时的时序大多都是10-12-12-31@1.65V。
图一
图二
图三
三星颗粒内存条超频技巧（设置可参见表1）
使用三星颗粒的内存条在时序上比MFR颗粒的内存条要低一些，因此在相同频率下性能上会有不小的优势。但是当频率超过2800MHz之后也同样需要放宽时序参数来换取高频，三星颗粒放宽时序后超频2800MHz以上高频的几率要小于MFR颗粒，而且所需的电压会比MFR颗粒要高一点。在第一时序上，对于体质较好的三星颗粒内存条我们推荐使用以下参数设置：
第二时序(图3)
硬件系统配置
CPU Intel i7 4770K
散热器 酷冷至尊 海神280L 一体式水冷
主板 华硕Maximus Ⅵ Extreme
显卡 微星GTX 780Ti Gaming
内存 威刚XPG 1600 4GB×2（海力士MFR颗粒）三星黑武士1600 4GB×2（三星HCH9颗粒）
电源 酷冷至尊 金牌龙影1050W智能版
图四
华硕Maximus Ⅵ Extreme主板BIOS中集成了针对各种不同颗粒内存特点的配置文件
第三时序（图4）
第三时序中对性能影响大的是tRDRD和tWRWR。当内存频率小于2133MHz时，第三时序对性能的影响非常小。Ivy Bridge、H aswell处理器的IMC已经普遍能够支持超过2400MHz的内存，因此在上述两个平台上第三时序的重要性凸显。当内存频率超过2400MHz之后，tRDRD和tWRWR对内存带宽的影响非常大，这两个参数的小值为4个周期，每加1个周期，内存读写性能就会出现较大幅度的下降，每放大一个周期内存带宽大约下降10%～15%。内存频率达到2800MHz之后这两个小参往往要放大到6个周期，性能上会有较大的损失，因此牺牲tRDRD和tWRWR换取超高频的做法是不可取的。其余第三时序的各个小参对性能影响不大，一般全部设置为Auto即可。
