速度与激情的碰撞 内存超频实战

Haswell平台内存超频实战

目前市面上容易买到的超频体质较好的内存一般都是采用三星HCK0、HCH9颗粒和海力士MFR颗粒。使用这些颗粒的内存在时序参数上非常接近，在Ivy Bridge和Haswell平台上一般都能轻松超频到2400MHz以上。下面就使用Haswell平台结合三星HCH9、海力士MFR颗粒的内存来进行内存超频实战。

示范平台（参见p120“硬件系统配置”及图5）中使用了华硕Maximus Ⅵ Extreme主板，该主板的特点就是BIOS中的内存时序参数非常丰富，而且智能化程度很高，一些参数只要设置为“Auto”就能够自动获得比较合理的参考值。而且BIOS中集成了针对各种不同颗粒内存条特点的配置文件，初级用户只要选择加载对应的配置文件就能够获得针对性很强的参数设置。

三星HCH9、海力士MFR颗粒的内存可以通过tRFC的值来进行判别，MFR颗粒的特征就是tRFC的值比其他颗粒要大，一般设置为175～264，超频2400MHz以上时可能需要放大到313以上才能稳定。而三星HCH9颗粒的内存即使超频2400MHz以后，tRFC的值依然能保持在120～175。

海力士MFR颗粒内存条超频技巧（设置可参见表2）

在第一时序上，对于一般体质的海力士MFR颗粒内存条我们推荐使用以下参数设置：

DDR 3-2133 11-11-11-31@1.65V

DDR 3-2400 11-13-13-35@1.65V～1.7V

DDR3-2666 12-13-13-35@1.65～1.75V

DDR3-2800 12-14-14-35@1.7～1.75V

在第二时序上， CR在2400MHz以内应尽量保持为1T，超过2400MHz之后可以适当放宽到2T。如果确实需要放宽到2T的话，可以争取降低一个tRCD来弥补性能损失。tRFC在2133MHz以内时一般设置为175～264，超频2400MHz以上时有时需放大到313以上以获得更好的稳定性。tRRD对性能影响较大，在2400MHz以内应尽量设置为4，超过2400MHz之后可以适当放宽到5，如果需要放宽到6来换取更高频率的话，性能下降会比较明显。

以使用海力士MFR颗粒的威刚游戏威龙XPG 1600 4GB×2内存套装超频2400MHz为例（采用黑色PCB的新版才是采用MFR颗粒），先按照上述的第一时序设置DDR3-2400 11-13-13-35@1.65V后重新启动计算机并进入BIOS中对第二、第三时序进行设置。此时华硕Maximus ⅥExtreme主板会自动把第二、第三时序参数放得相对较宽松以获得更好的稳定性。内存控制器电压此时保持默认的0.792V就可以了。我们先把CR手动改为1T，tRRD改为5，tRDRD、tWRWR保持为AUTO的5 和4，其余时序均保持AUTO即可。进入系统中运行AIDA64 Extreme Edition软件进行内存带宽测试，测得内存读取为34391MB/s，内存写入为35456MB/s，内存复制为30762MB/s，《3D Mark 11》的P模式得分为P15114，并通过Memtset的100%稳定性测试。接着重新启动计算机进入BIOS中，开始缩减各个时序参数。首先把tRAS缩减为31，把tRFC缩减为264，把tRRD、tRDRD均改为4，进入系统中运行AIDA64 ExtremeEdition测得内存读取为35026MB/s，内存写入为35651MB/s，内存复制为31303MB/s，3DMARK11的P模式得分提升到P15182，同样通过Memtset的100%稳定性测试。接着尝试缩减CL、tRCD、tRP等参数无法通过Memtset的100%稳定性测试。说明2400 11-13-13-31-264-1T@1.65V，tRRD、tRDRD、tWRWR均设置为4的状态是这对内存在2400MHz频率下所能获得的优化设置。确定能够稳定征服2400MHz频率之后，我们冲击2600MHz频率。首先直接沿用刚才2400MHz的佳时序设置，而直接把内存频率拉升为2600MHz，进入系统后无法通过稳定性测试。接着就开始逐步放宽各个时序小参数进行摸索，这里需要注意的是，当内存频率达到或者超过2400MHz之后，第一时序对性能的影响就会越来越小，第二时序中的tRFC、tRRD对性能的影响比CR要大。所以先把第一时序改为12-13-13-35，如果无法稳定就把CR改为2T，还是无法稳定才把tRRD、tRDRD改为5，此时AIDA64 Extreme Edition测得内存读取为30905MB/s，内存写入为38472MB/s，内存复制为31650MB/s，3DMARK11的P模式为P15148。从成绩对比中可以看到，此状态下除了内存读取不如2400MHz下之外，内存写入与复制均高于2400MHz下，而《3DMar k11》的P模式得分则比在2400MHz下略低。通过Memtset的100%稳定性测试之后继续冲击2666MHz频率。保持各时序参数不变直接把内存频率调整为2666MHz，进入系统后无法稳定运行测试，此时可以稍微增加内存工作电压为1.7V，顺利通过Memtset的100%稳定性测试。AIDA64 Extreme Edition测得内存读取为31617MB/s，内存写入为39628MB/s，内存复制为31641MB/s，3DMARK11的P模式得分为P15187。此后无论是缩减时序参数还是放宽时序冲击2800MHz频率均无法通过稳定性测试。从表3中可以看出，⑦、⑨两个设置是这对1600MHz内存所能够达到的理想超频状态。从中我们可以得到这样的结论：针对使用MFR颗粒的内存条，频率超过2400MHz之后第一时序以及CR参数对性能的影响会越来越小，而放宽tRFC、tRRD、tRDRD可以换取频率的进一步提升，其中tRRD、tRDRD对性能的影响尤为明显，因此我们首先考虑牺牲第一时序与CR来获得高频，其次才考虑放宽tRFC，后才考虑放宽tRRD、tRDRD。

很多采用MFR颗粒的内存条在Haswell平台上都具备了冲击3000MHz以上频率的实力。这里需要注意的是Haswell处理器在100MHz外频下无法直接支持3000MHz的内存，此时需要我们把CPU外频提升到125MHz（如右图），并且把CPU倍频降低到36以内。笔者手上的威刚游戏威龙XPG1600 4GB×2套装在加压1.8V，并且按照上表的时序参数进行设置之后可以超频到3000MHz的频率，还顺利通过了稳定性测试，充分证明了MFR颗粒飚高频的非凡实力。

三星颗粒内存条超频技巧（设置可参见表1）

使用三星颗粒的内存条在时序上比MFR颗粒的内存条要低一些，因此在相同频率下性能上会有不小的优势。但是当频率超过2800MHz之后也同样需要放宽时序参数来换取高频，三星颗粒放宽时序后超频2800MHz以上高频的几率要小于MFR颗粒，而且所需的电压会比MFR颗粒要高一点。在第一时序上，对于体质较好的三星颗粒内存条我们推荐使用以下参数设置：

DDR3-213 39-10-10-24@1.5V

DDR3-2400 10-12-12-31@1.65V

DDR3-2666 11-13-12-31@1.65V～1.7V

DDR3-2800 11-14-14-35@1.7～1.8V

在BIOS中把CPU外频提升到125MHz

BIOS中出现125MHz外频下的内存分频选项，高可以达到4000MHz

把CPU外频提升到125MHz之后记得要把CPU倍频降低到36以内

在第二时序上， CR在2600MHz以内应尽量保持为1T，超过2600MHz之后可以适当放宽到2T。如果确实需要放宽到2T的话，可以降低一个tRCD来弥补性能损失，如果tRCD降不了的话就降一个tRP。tRFC在2133MHz以内时一般设置为98以内，超频2400MHz以上时有时需放大到120～175以上以获得更好的稳定性。tRRD对性能的影响要比MFR颗粒小很多，在2400MHz以内可以设置为4，超过2400MHz之后可以适当放宽到5～6，2800MHz以上可以放宽到7。

以使用三星HCH9颗粒的三星黑武士1600 4GB×2内存超频2400MHz为例，先参考上述的第一时序设置DDR3-2400 10-12-12-31@1.65V后重新启动计算机并进入BIOS中对第二、第三时序进行设置。华硕Maximus Ⅵ Extreme主板非常智能，会自动根据SPD参数来调整时序小参数，在使用三星颗粒内存的情况下主板BIOS会自动把第二、第三时序参数缩得比MFR颗粒内存小很多，例如tRFC会自动缩减为175。内存控制器电压此时保持默认的0.8V就可以了。首先把CR改为1T，tRRD、tRDRD、tWRWR直接改为4，其余时序均保持AUTO即可。进入系统中运行Memtset的100%稳定性测试。如果能够顺利通过，那么可以尝试把tRFC逐步缩减为120，tRP对性能的影响要小于tRFC，在成功缩减tRFC之后再考虑把tRP缩减为11。

在确定上述时序下能稳定运行在2400MHz频率之后，我们继续冲击2600 MHz频率。同样是沿用刚才2400MHz的佳时序设置，而直接把内存频率拉升为2600MHz，如果无法通过稳定性测试，就逐步放宽各个时序小参进行摸索。这里存在与MFR颗粒同样的情况，当内存频率达到或者超过2400MHz之后，第一时序对性能的影响就会越来越小。所不同的是第二时序中的tRFC、CR对性能的影响会比较大，而tRRD对性能的影响反而变小。所以先把第一时序改为11-13-13-35，如果能够稳定就把tRAS改为31，不稳定的话可以放宽tRFC为175～195，如果还无法稳定就把CR改为2T。第三时序中的tRDRD、tWRWR对性能的影响同样巨大，一般应保持在4～5，2800MHz频率下可以考虑放宽到6。

如果要继续冲击2800MHz及以上频率的话，一般都要把内存控制器电压增加到1V，内存电压提升到1.7 V以上。三星颗粒对比MFR颗粒来说对电压会更加的敏感。我们首先把BIOS中的参数设置为DDR3-2800 11-14-14-35@1.75V，tRFC放宽为227，如果不稳定的话把CL放宽到12，如果还不稳定再考虑把tRRD放宽到6～7。通过Memtset的100%稳定性测试之后可以考虑把电压逐步降低。

超频后的内存频率

在目前市面上，出厂默认频率就达到2800MHz以上高频的天价内存条一般都是采用厂家特挑的三星HCK0、HCH9颗粒和海力士MFR、CFR颗粒。而那些廉价低频内存条中也不乏有使用上述颗粒的产品，这些内存条的超频性能会比默认高频的天价条略差，但是性价比更高。大家如果手中有采用上述颗粒的内存条，千万不要浪费了，完全可以根据上文中的时序、电压参数进行超频，享受天价条才能带来的极速体验。另外，需要提醒大家注意的是，现在很多以超频为卖点的主板BIOS中都会集成针对各种不同颗粒内存条特点的配置文件，这样的设计比单纯依靠内存SPD进行超频更加的智能化。在以后的文章中我们会为大家介绍如何利用主板的配置文件来修改、刷新内存的SPD文件，从而让内存的超频更加的智能化。